全段MOS-FET構成、新トーラス・トロイダルトランス採用。先進の高音質技術を凝縮したESアンプのスタンダードモデル

• ジャンクションFETに始まり、全段に増幅素子として素性の優れたMOS-FETを採用。ファイナル段用のパワーMOS-FETは非磁性タイプを使用
• 容量のアップと巻線の改良を行った新型トーラス・トロイダルトランスを搭載し安定した電力供給を実現
• ヒートシンクの温度検出・補償を廃止し、事実上の固定バイアスで出力段の動作を安定させた、MOS-FETならではのフィックスド・オプティカル・バイアス・サーキット

ショールーム

東京／銀座数寄屋橋ソニービル

大阪／中央区心斎橋筋ソニータワー

お客様ご相談センター

		会社案内 | 商品のお問合せ | ご注意 | サイトマップ Contact Us | Privacy Policy
(c)Copyright 2001 Sony Marketing(Japan)Inc. All rights reserved.